日(rì)本大(dà)阪大(dà)學陳傳彤：SiC功率模塊中微↑ ×(wēi)米級Ag燒結連接技(jì)術(shù)的(d ∑₹↑e)進展
2023/12/19
功率密度的(de)提高(gāo)及器(qì)件(jiàn)小(xiǎo)型化(↑≠huà)等因素使熱(rè)量的(de)及時(sh₩↑≈→í)導出成為(wèi)保證功率器(qì)件(jiàn)性能(né✔♠ ×ng)及可(kě)靠性的(de)關鍵。作(zuò)為(wèλ♦i)界面散熱(rè)的(de)關鍵通(tōng)道(dào)，功率模塊封裝±©結構中連接層的(de)高(gāo)溫可(kě)靠性和(hé↔™)散熱(rè)能(néng)力尤為(wèi)重要↕☆£Ω(yào)。納米銀(yín)燒結技(jì)術(shù)可(kě)以實現(xi"¶δàn)低(dī)溫連接、高(gāo)溫服役的(de)要(♠<↑≤yào)求，且具有(yǒu)優秀的(de)導熱(rè)導電(>™✘≥diàn)性能(néng)和(hé)高(gāo)溫可(kě)靠性，已成為(wè™☆i)近(jìn)幾年(nián)功率模塊封裝互連材料的₩βσβ(de)研究熱(rè)點。
第九屆國(guó)際第三代半導體(tǐ)論壇（IF☆♦≈WS）&第二十屆中國(guó)國(&±guó)際半導體(tǐ)照(zhào)明(míng)論壇（SSLCHINA）∞★在廈門(mén)國(guó)際會(huì)議(yì)中心召開(kāπ∑i)。期間(jiān)，“碳化(huà)功率器(qì)件(jiàn↑&)及其封裝技(jì)術(shù)分(fēn)會(huα↑ ì)“上(shàng)，日(rì)本大(dà)阪大(dà)學副教授陳傳彤做(zuò)了↓±♠(le)“SiC功率模塊中微(wēi)米級Ag燒結連接技↓₩β(jì)術(shù)的(de)進展”的(de)主✔λ題報(bào)告，分(fēn)享了(le)微(wēi)米級銀(yín)燒結♠δ 體(tǐ)的(de)連接與性能(néng)研究、A'φg-Si複合漿料提高(gāo)SiC功率模塊可(kě)靠性、全銀(y©≈♠ín)燒結漿料的(de)高(gāo)散熱(rè£)SiC結構的(de)研究進展。
涉及用(yòng)于模具附著(zhe)材料的(de)銀(yín)燒結漿©φ÷料連接，銀(yín)微(wēi)粉燒結漿料，銀(yín)薄片漿料燒結，高(gā©>♥o)溫老(lǎo)化(huà)可(kě)靠性試驗，熱(rè)沖擊試驗（-5Ωφε✘0℃~250℃），Ag燒結體(tǐ)功率₽≈π循環連接可(kě)靠性試驗，SiC SBD試樣的(de)截面研究，→♠全銀(yín)燒結漿料的(de)高(gāo)散熱(rè)SiC結構，≈¶高(gāo)溫老(lǎo)化(huà)可(kě)靠性試驗，采用(yò'↔↕®ng)銀(yín)燒結膏的(de)先進功率模塊結構等。
報(bào)告指出，在高(gāo)溫老(lǎo)化♦π(huà)和(hé)功率循環測試下(xià)，銀(yín)微(wēi) ←米顆粒燒結連接提供了(le)優異的(de)×≠ 結合質量和(hé)可(kě)靠性。Ag-Si複合漿料可(kě♠♥)提高(gāo)熱(rè)沖擊可(kě)靠性；與傳統的(de)焊料和(h ≤←é)TIM油脂接合相(xiàng)比，全銀(yín)燒結接合使 ←ε 芯片表面溫度從(cóng)270℃降低(dī)☆♥₩到(dào)180℃，熱(rè)阻也(yě&☆♥)從(cóng)1.5 K/W降低(dī)到(dào)→✔"0.8 K/W。在功率循環試驗中，全銀(yín)燒結漿料的(de) λγ失效時(shí)間(jiān)從(cóng)2340次循環提高(gā"αo)到(dào)33926次循環，提高(gāo)α₩☆≥了(le)14.5倍。
來(lái)源：第三代半導體(tǐ)産業(yè)技(j→≤≤♠ì)術(shù)戰略聯盟
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