
艾創微(wēi)組織召開(kāi)2024年(nián)第一(yī)×₽次SiC汽車(chē)芯片标準專委會(huì)标₩×¶♣準起草(cǎo)活動

2024/09/14
随著(zhe)我國(guó)新能(néng)源汽車§∏✘γ(chē)滲透率逐年(nián)上(shàng)升,電(diàn)α≠動化(huà)、網聯V2X、智能(néng)駕駛等技(jì)術(shù)↑∑₽↓的(de)快(kuài)速發展,電(dià≤σn)子(zǐ)電(diàn)器(qì)系統更加複雜(zá),對₹★★€(duì)功率器(qì)件(jiàn)芯片提出了(le)更高(g✘€©<āo)要(yào)求。SiC MOSFET功率芯片在各項性能(néng)表現(↓€ xiàn)上(shàng)有(yǒu)著(zhe)獨特的(de)優越性,應↔±<'用(yòng)前景廣泛,但(dàn)此領域的(de)技(ε↑≤jì)術(shù)發展和(hé)國(guó)家(jiā)标準制(zh>±×ì)定相(xiàng)對(duì)滞後,标準制(zhì)定刻不 ↕(bù)容緩。
相(xiàng)關新聞
合肥工(gōng)業(yè)大(dà)學領導莅臨艾&©創微(wēi)調研指導
2021-09-15
2021-09-15

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